国家知识产权局信息数据显现，重庆伟特森电子科技有限公司;无锡锡产微芯半导体有限公司请求一项名为“一种碳化硅二极管及其制备办法”的专利，公开号CN121240472A，请求日期为2025年9月。
专利摘要显现，本发明触及半导体器材技能领域，公开了一种碳化硅二极管，包含顺次层叠的反面欧姆触摸金属层、碳化硅衬底、碳化硅缓冲层、碳化硅外延层和阳极金属层；碳化硅外延层的掺杂类型为n型或p型掺杂；碳化硅外延层内且沿其上外表设有至少一个榜首掺杂区，每个榜首掺杂区内且沿其上外表均设有第二掺杂区，榜首掺杂区的掺杂类型与碳化硅外延层的掺杂类型相反，第二掺杂区的掺杂类型与碳化硅外延层的掺杂类型相同。本发明还公开了一种碳化硅二极管的制备办法。本碳化硅二极管具有较高的反向耐压才能和更好的正向浪涌才能，能够在必定程度上完结敞开电压0V~0.9V范围内可选。
天眼查资料显现，重庆伟特森电子科技有限公司，成立于2018年，坐落重庆市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本2850万人民币。经过天眼查大数据分析，重庆伟特森电子科技有限公司参加招投标项目1次，产业线条，此外企业还具有行政许可1个。
无锡锡产微芯半导体有限公司，成立于2019年，坐落无锡市，是一家以从事专业方面技能服务业为主的企业。企业注册资本330071.4286万人民币。经过天眼查大数据分析，无锡锡产微芯半导体有限公司共对外出资了5家企业，参加招投标项目1次，产业线条，此外企业还具有行政许可15个。
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