“Di”=两个，“Ode”=电极，即具有两个电极的器材或组件，即阳极“+”（P）和阴极“-”（N）。
二极管是一种两头单向电力电子设备。半导体二极管是半导体电子设备宗族中的榜首项发明。之后发明晰许多类型的二极管。但今日最常用的二极管也是半导体二极管。
二极管只答应电流沿一个方向活动，并阻断另一个方向的电流。它在一个方向上供给低电阻（抱负状况下为零），在另一个方向上供给高电阻（抱负状况下为无限）。
半导体资料有两种类型;本征和外在半导体。本征半导体是一种纯半导体，其间空穴和电子在室温下数量持平。在外在半导体中，添加杂质以添加空穴数或电子数。这些杂质是三价（硼、铟、铝）或五价（磷、砷、锑）。
假如咱们在硅或锗中添加三价杂质，则存在更多的空穴，而且是正电荷。因而，该层称为P型层。
假如咱们在硅或锗中添加五价杂质，则存在更多的电子，这是一个负改变。因而，该层称为N型层。
二极管是经过将N型和P型半导体衔接在一起而构成的。该器材是P型和N型半导体资料的组合，因而也称为PN结二极管。
二极管有两个端子;一个端子取自P型层，称为阳极。第二个端子取自N型资料，称为阴极。
在N型区域，电子是大都电荷载流子，空穴是少数电荷载流子。在P型区域，空穴是大都电荷载流子，电子是负电荷载流子。因为浓度差异，大大都电荷载流子分散并与相反的电荷从头结合。它发生正离子或负离子。这些离子在结处搜集。这个区域被称为干涸区域。
当二极管的阳极端子与负极端子衔接，阴极与电池的正极端子衔接时，二极管被称为反向偏置衔接。
类似地，当阳极端子与正极端子衔接而且阴极与电池的负极端子衔接时，二极管被称为正向偏置衔接。
二极管以反向偏置方法衔接。在这种状况下，自由电子分散到P型区域并与空穴从头结合。它会发生负离子。类似地，空穴分散到N型区域并与电子从头结合。它将发生正离子。
当将这种电压施加到电路上时，不动的离子会发生一个耗尽区域，如上图所示。耗尽区的宽度很大。因而，没有更多的空穴或电子穿过结。
即便以标称电压供电，它也不会发生电子或空穴流。因而，电流不可能流过二极管，它表现为开路开关。
在这里，十分少数的电流将流过电路。该电流称为反向饱和电流或反向漏电流。这种电流流向少数电荷载流子。该电流不足以传导二极管。
假如咱们将电压添加到反向击穿电压，少数电荷载流子会取得高动能并与原子磕碰。在这种状况下，共价键的数量开裂和很多的电子 - 空穴对发生很多的电流。
因为这种高电流，二极管可能会损坏。因而，在正常的状况下，二极管不会以反向偏置方法衔接。
当阳极与电池的正极端子衔接而且阴极与电池的负极端子衔接时，阳极相关于阴极为正极。听说二极管以正向偏置方法衔接。
现在，咱们逐步添加电源电压。假如咱们添加一个小的电压，大大都电荷载流子就只有少数的能量穿过耗尽区域。
在正向偏置条件下，耗尽区的宽度十分小。假如添加的电压超越正向击穿电压，则大大都电荷载流子将取得满足的能量来穿过耗尽区域。
在这种操作形式下，会发生十分少数的下跌。这种压降称为导通态压降。该形式的衔接图如下图所示。
二极管的VI特性显现了二极管电流和电压之间的联系。它是电压和电流之间的图形，其间电压在X轴上，电流在Y轴上。
当P型资料或阳极与电池的正极端子衔接，N型资料或阴极与电池的负极端子衔接时，二极管正向偏置衔接。
施加的电压由可变电阻操控。施加的电压逐步添加。在电压添加正向击穿电压之前，电流不会活动。因为在这种状况下，电压不足以将电荷载流子从一层移动到另一层。
关于硅，击穿电压为0.7V，关于锗，该电压为0.3V。一旦电压添加到该水平以上，电压就足以将电荷载流子从一个载流子移动到另一个载流子。因为电荷的活动，电流能够流过二极管。
如特性所示，零件OP对错线性部分。这显现了电压低于正向击穿电压的开端周期。在这里，电流十分小。
在这种状况下，二极管表现为闭合开关，因为它答应电流活动。关于抱负二极管，导通电阻为零，其行为为纯导体。
在反向偏置中，N型资料或阴极与电池的负极端子衔接。这种类型的衔接称为反向偏置衔接。
在这种状况下，电压在可变电阻的协助下逐步添加。但这个电压不足以引起电流的活动。
因为P型和N型层之间构成的结处于反向偏置状况，而且在这种状况下耗尽宽度很大。因而，标称电压不足以发生电荷载流子的运动。
因而，电流不会流过二极管。在此形式下取得的曲线是OA。如图所示，因为少数电荷载流子，将流出十分少数的电流，该电流不足以翻开二极管。
当施加的电压大于反向击穿电压时，因为雪崩击穿，将流出大电流。此部分在图中显现为 AB。
二极管用于电力电子的各种使用。二极管是一种单向双端子器材，只答应电流沿一个方向活动，而阻断另一个方向的电流。因为这一特性，二极管用于以下使用：