国家知识产权局信息数据显现，比亚迪股份有限公司;比亚迪半导体股份有限公司请求一项名为“单光子雪崩二极管及其制备办法、阵列和图画传感器”的专利，公开号CN121240561A，请求日期为2025年8月。
专利摘要显现，本请求公开了一种单光子雪崩二极管及其制备办法、阵列和图画传感器，归于光电技术领域。单光子雪崩二极管的外延层被设置为榜首导电类型，外延层包含相对的榜首外表和第二外表，外延层包含被设置为第二导电类型的榜首触摸区，以及被设置为榜首导电类型的第二触摸区，榜首触摸区和第二触摸区均设置于榜首外表，外延层还包含倍增结，倍增结设置于第二触摸区接近第二外表的一侧，外延层还包含被设置为第二导电类型的榜首阱区，榜首阱区设置于倍增结远离榜首外表的一侧。榜首电极与榜首触摸区电触摸。第二电极与第二触摸区电触摸。榜首阱区的设置能够有用拓宽耗尽区的规模并使得耗尽区在倍增结下方缩短，有利于改进时刻颤动特性、进步光子检测功率。
天眼查资料显现，比亚迪股份有限公司，成立于1995年，坐落深圳市，是一家以从事轿车制造业为主的企业。企业注册资本911719.7565万人民币。经过天眼查大数据分析，比亚迪股份有限公司共对外出资了108家企业，参加招投标项目1010次，产业线条，此外企业还具有行政许可154个。
比亚迪半导体股份有限公司，成立于2004年，坐落深圳市，是一家以从事研讨和实验开展为主的企业。企业注册资本45621.8756万人民币。经过天眼查大数据分析，比亚迪半导体股份有限公司共对外出资了9家企业，参加招投标项目511次，产业线条，此外企业还具有行政许可109个。
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