国家知识产权局信息数据显现，原相科技股份有限公司请求一项名为“CMOS印象传感器及其制作办法”的专利，公开号CN121310675A，请求日期为2024年11月。
专利摘要显现，本发明供给了一种CMOS印象传感器及其制作办法。该CMOS印象传感器包含：构成在硅基板中的光电二极管；以及构成在硅基板上的多层介电层，其间该多层介电层包含多个介电层按照次序堆叠在一起，且该多层介电层实质上掩盖光电二极管的整个表面积；其间，任两个相邻介电层之间对应的两个折射率的差值小于预订差值，由此削减两个相邻介电层之间的光子反射丢失，以进步光电二极管的量子功率。
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