国家知识产权局信息数据显现，龙岩学院;福建中晶科技有限公司请求一项名为“一种按捺雪崩复合发光串扰的雪崩光电二极管结构”的专利，揭露号CN121335233A，请求日期为2025年10月。
专利摘要显现，本发明揭露一种按捺雪崩复合发光串扰的雪崩光电二极管结构，包含彼此阻隔的多个像素单元，每个所述像素单元均包含衬底层、结构层、钝化层、复合发光增反层、入射光增透层和复合发光吸收层。其间，复合发光增反层和入射光增透层顺次设于进光侧，复合发光吸收层设于背光侧，钝化层与复合发光增反层一起构成雪崩复合发光的反射膜，钝化层、复合发光增反层和入射光增透层一起构成入射光增透膜。本发明经过进光侧的双功用复合发光增反层和入射光增透层的组合规划，以及与背光侧复合发光吸收层的组合规划，既可反射并吸收雪崩复合发光，阻断其出射或横向逸散，并增强入射光透射率，一起具有按捺雪崩复合发光串扰和保持原器材量子功率水平的特色。
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